|
| Tên thương hiệu: | ROYAL |
| Số mẫu: | RTAS |
| MOQ: | 1 tập |
| giá bán: | có thể đàm phán |
| Điều khoản thanh toán: | L/C, T/T |
| Khả năng cung cấp: | 10 bộ mỗi tháng |
Máy sơn đồng và đồng, Chiếc ga TiN Thiết bị mạ vàng
Chiếc máy phủ vàng TiN
1- Hiệu quả về mặt kinh tế, tạo ra các bộ phim phủ mỏng nhất, đồng nhất nhất;
2. Một quá trình lớp phủ khô ở nhiệt độ thấp trong buồng chân không;
3Cung cấp tính linh hoạt tuyệt vời và có thể được sử dụng để lắng đọng các vật liệu dẫn điện hoặc không dẫn điện trên bất kỳ loại nền nào, như: kim loại, gốm sứ, vật liệu nhựa.
4Lớp phủ nhiều lớp rất dễ sản xuất.
5. Tốc độ lắng đọng nhanh và chất lượng bề mặt cao.
Tiêu chuẩn máy phủ vàng TiN
| Mô hình | RTAS1200 | |||||||
| Công nghệ | Magnetron Sputtering + Ion Plating | |||||||
| Vật liệu | Thép không gỉ (S304) | |||||||
| Kích thước phòng | Φ1200*H1500mm | |||||||
| Loại phòng | Xylanh, dọc, 1 cửa | |||||||
| Vật liệu nộp đơn | Nhôm, bạc, đồng, Chrome, thép không gỉ, Nickel, vàng, TiAl, hợp kim Au, Ag vv |
|||||||
| Nguồn gửi tiền | 14 bộ cathode cung điều khiển | |||||||
| GAS | MFC- 4 cách, Ar, N2, O2, C2H2 | |||||||
| Kiểm soát và vận hành |
PLC ((Điều khiển logic có thể lập trình) + Màn hình chạm |
|||||||
| Hệ thống bơm | SV300B - 2 bộ (Leybold) | |||||||
| WAU1001 - 1 bộ (Leybold) | ||||||||
| D60T- 1 bộ (Leybold) | ||||||||
| Máy bơm phân tử tăng áp: 3* F-400/3500 | ||||||||
| Bước trước điều trị | Nguồn cung cấp điện Bias: 1 * 36 KW | |||||||
| Hệ thống an toàn | Nhiều khóa an toàn để bảo vệ người vận hành | |||||||
| Làm mát | Nước lạnh | |||||||
| Sức mạnh điện | 480V/3 pha/60HZ (hợp với Hoa Kỳ) | |||||||
| 460V/3 pha/50HZ (hợp với châu Á) | ||||||||
| 380V/3 pha/50HZ (hợp với EU-CE) | ||||||||
| Dấu chân | L3000*W3000*H2000mm | |||||||
| Tổng trọng lượng | 7.0 T | |||||||
| Dấu chân | (L*W*H) 5000 * 4000 * 4000 MM | |||||||
| Thời gian chu kỳ | 30 ~ 40 phút (tùy thuộc vào vật liệu nền, Địa hình nền và điều kiện môi trường) |
|||||||
| POWER MAX... | 155 KW | |||||||
|
Sức mạnh trung bình Dùng (khoảng) |
75 kW | |||||||
